AEC-Q100文件，是芯片开展车规等级验证的重要标准和指导文件。
B组验证是ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS 加速生命周期模拟验证
4) Vcc(产品规定最大值)要同时满足直流和交流参数，在测试过程中产品不应发生热保护停机。在室温、低温和高温下分别进行HTOL前后的电性能测试(按此顺序)。
But where~is my cup?
small[sm:l] 小的 big[big] 大的 long[lɔŋ] 长的 short：[:t] 短的；矮的
欢迎来到《邮递员派特叔叔》的世界。这是一部英国儿童电视动画片，最初于1981年在英国问世。它的作者是John Cunliffe. 自从在英国播出以来，它已经在世界上受到广泛欢迎。这部动画片主要围绕邮递员Pat叔叔和他的小猫Jess展开。主要讲述了他们在格林达尔村庄上为村民递送邮件，帮助村民解决各种问题时的种种奇遇。
Mrs. Goggins是邮局的局长。她是一个很努力勤奋的人，对待工作充满热情。
在Xilinx公司通信业务主管总监Gilles Garcia看来，5G时代，如果没有系统级的突破，5倍带宽、100倍用户数据速率、1000倍网络容量等在内的5G要求均无法实现。因为对高通道数的系统来说，“与大量分立式转换器建立连接仍然是个不小的I/O挑战。”如果能够通过集成减少组件，不但能大幅降低功耗和封装尺寸，更能够明显简化系统设计。
cook the meals[kuk][ðə][mi:l]煮饭 water the flowers浇花['w:tə][ðə]['flauə]
Discussion： [k] 浊化成 [g]
red[red] 红色的 yellow['jeləu] 黄色的 green[gri:n] 绿色的
How can I get to Zhongshan Park? （我怎样才能到达中山公园？
英语语音中的/j/和/w/是半元音，如果前一个词是以辅音结尾，后一个词是以半元音，特别是/j/开头，此时也要连读。Thank~you.
一、 连读的条件：
二、连读规则
1.“辅音+元音”型连读
2.“r/re+元音”型连读
3.“辅音+半元音”型连读
1、 辅音[d]与[j]相邻时，被同化为[dʒ]：Would you....?
2、 辅音[t]与[j]相邻时，被同化为[t∫]： Can’t you:。。。。？
3、 辅音[s]与[j]相邻时, 被同化为[∫]： Miss you
4. “元音+元音”型连读如果前一个词以元音结尾，后一个词以元音开头，这两个音往往也要自然而不间断地连读到一起。关注奇速英语微信qisuen！
4. “元音+元音”型
5. 失去爆破。
(1)“爆破音+爆破音”型6个爆破音中的任意2个相临时，前一个爆破音会失去爆破，即由相关的发音器官做好这个发音的姿势，稍做停顿后即发后面的爆破音。
(2)“爆破音+摩擦音”型如果前面是爆破音，其后紧跟着某些摩擦音（如/f/，/s/，/W/，/T/等），那么前面那个爆破音仅有十分轻微的爆破，而后面那个摩擦音则要完全爆破。
一、 连读
1、 以辅音结尾的单词+元音开头的单词：要连读
2、以辅音结尾的单词+ h开头的单词h不发音，与前面的辅音
我第一次知道这一连读规则时，兴奋不已，很容易的听懂了许多以前觉得很难以理解的句子，
二、 音的同化
1、 辅音[d]与[j]相邻时，被同化为[dэ]：Would you....?
2、 辅音[t]与[j]相邻时，被同化为[t∫]： Can’t you:。。。。？
3、 辅音[s]与[j]相邻时, 被同化为[∫]： Miss you
三、 失音
1、 辅音爆破音或摩擦音后面跟的是爆破音、破擦音和摩擦等，前面的辅音要失去爆破。
四、 浊化
1、[S] 后面的清辅音要浊化
2、美音中：[t] 在单词的中间被浊化成[d]
第一类音变基本可为五种：
两个单词相邻, 前面单词的尾音标为辅音音标，后面单词的第一个音标为字母h所发的/h/ 这个时候，前面的辅音击穿/h/和后面的元音形成连读。
第二类音变：吞音。
第三类音变，同化。
第四类音变：缩读。
第五类音变：弱读。
单词读准了，句子读顺了，语调的活怎么体现呢？我们来看一个简单的英语句子。I’m speaking English. 如果讲话人讲时，语调毫无起伏变化，我们不太容易感知说话者的语义强调，也就是说如果没有高低音的轻重对比，我们便不易明白重点强调之处，如果在说这句话时我们加重第二个词，我们便明白了说话者在强调练习口语而不是听力等其他内容，如果说话者加重第三个单词我们便很容易明白，他在强调练习的是英语而不是日语德语或其他语种，如果说话者加重语气的是第一个单词那么我们马上就会明白说话者在强调说英语的是他而不是别的什么人。奇速英语暑假网络互动直播课程,九天让你的英语成绩华丽转身，来不及的不是时间，而是行动，心动就马上行动，当你还在犹豫的时候，先报名的童鞋已经甩你很远了。
2.辅音+辅音式
3.元音+元音式
4.爆破音+辅音（失爆现象）式
5.h被击穿连读
重音：单音节词单独读时都重读，而不必标重音符号；两个或两个以上的音节才有重音。两个音节重音符号标注在第一个音节前。
1. 英语中派生词的重音和词根重音一致。 派生词就是一些有同样词根的词。比如： act, active, actively com'pare com'parison
2. 带下列前缀的词：a-, ab-, ac-, ad-, al-, be-, con-, de-, dis-, em-, en-, in-, mis-, re-, tans-, un-重音通常在第二音节上。例如： a'bout ab'duce ac'cede ad'mire be'long con'sult de'tect dis'like
3. 带有下列后缀的词：-ary, -ery, -ory, -ism, -ist, -mony, -ment, -ary等，重音通常在第一个音节上。例如： customary scientist slavery factory realism
4. 带下列后缀的词：-aim, -ain, -cur, -eem, -duce, -ere, -firm, -gn, -oin, -oke, -ose, -pt, -rce, -self, -ume重音通常在第二音节。 contain occur sincere design confirm
5. 带下列后缀的词：-ade, -ain, -ee, -eer, -esque, -ette, -ique, -ine, -oon重音通常在最后一个音节。这些词一般都是从法语中借来的词。例如： emplo'yee an'tique maga'zine ci'gar volun'teer gaso'line
6. 带下列后缀的词：-eous, -ial, -ian, -ic, -ics, -ient, -ion, -ious, -ish, -it, -liar, -sive, -tal, -uous重音通常在倒数第二音节上。例如： oc'casion re'lation as'tonish de'posit mu'sician
7. 但是有些派生词，比如从名词派生出来的形容词，它的重音就得发生变化，通常是后移。 例如： 'science scien'tific 'accident acci'dental 'democrat demo'cratic 'politics po'litical
TP27文献标识码：ADOI： 10.19358/j.issn.16747720.2016.23.010
李炳乾,王勇,刘达，等. 航电FC接口板存储模块设计与硬件电路实现［J］.微型机与应用，2016,35（23）：35-37,41.
1.1DDR2性能特点
1.2DDR2结构特点
2.1存储模块供电设计
光纤通道接口板采用美光（Micro）公司生产的MT47H128M16RT-25E:C型号84脚FBGA封装DDR2 SDRAM芯片。DDR2工作电压采用的SSTL_1.8标准较DDR的SSTL_2.5有较大的优势，能够很好地减小板上功率消耗和热量生成。设计中，将FPGA生成的1.8 V电源引脚接入DDR2电源引脚VDD、VDDQ、VDDL等，为DDR2芯片供电。
与此同时，DDR2芯片还需要直流0.9 V的参考电压VREF输入，参考了Xilinx公司ML555 developing kit中的电源电路设计，利用PTH05050Y芯片对DDR2的0.9 V供电电源进行稳压。由于DDR电路VREF消耗电流很小，因此将1.8 V直流电源电压经串联电阻分压处理，得到0.9 V作为芯片输入参考电压VREF，PTH05050Y输出电压为0.9 V经过稳压的DDR2参考电压。
2.2接收/发送缓存芯片组设计
3.1DDR2控制器功能
3.2基于FPGA的DDR2控制器设计
上电后，通过初始化配置，得到置高的init_over信号，说明初始化成功；将标识START信号置1，并通过WRITE_BUSY［1］和READ_BUSY［1］信号判断是否满足命令发送条件,当两位均为1时允许命令发送。若发送命令条件满足，则通过用户接口发送CMD、操作首地址CMD_ADDR和数据操作计数CMD_CNT，若WRITE_BUSY［0］和READ_BUSY［0］互斥取0值时，用户接口完成响应的写入或读取数据的操作。
4.1测试过程
4.2调试结果
［1］ 支超有，唐长红.机载数据总线技术及其应用［M］.北京：国防工业出版社，2009.
［2］ 陈平，张春，张一山，等.DDR2 SDRAM 控制器IP功能测试与FPGA验证［J］.微电子学,2016，46(2):251-254.
［4］ Micron. DDR2 SDRAM MT47H128M16XX Datasheet,2010［EB/OL］.［2016-07-01］.http://download.micron.com/pdf/datasheet/dram/2g_ddr2.pdf.
［5］ Xilinx Inc. Ug086.pdf. 2011［EB/OL］.（2006-07-01）［2016-07-10］.http://www.xilinx.com/support/documentation/ip_documentation.
［6］ 范泽明.DDR2 SDRAM 控制器设计与验证［D］.西安：西安电子科技大学，2009.